在關於高通次世代旗艦手機 Snapdragon 8 Gen 3 消息流出時，已曾有關於晶片將採用更多高效核心說法；較早前在測試工具 GeekBench 網站曝光、疑似這款晶片首個參數報告流出就可看到，似乎新處理器架構帶來了明顯的效能提升。
本文刊登時，在測試工具 GeekBench 網站搜尋器，鍵入「samsung SM-S926U」，即可找到下圖中疑似配備高通未發佈晶片組 Snapdragon 8 Gen 3 的裝置測試數據，從登錄產品型號不猜測，其可能為三星未發佈手機 Galaxy S24+（S23+ 的產品型號為 SM-S916）。網頁顯示 8G3 主核時脈達 3.3GHz、另具 3+2 核 A720 大核跟 2.27GHz 時脈 A530 節能雙核。
據測試報告網頁可看到，新晶片在《GeekBench 6》測試，獲得了 2,233 單核、6,661 多核驚喜表現，在受測裝置仍然僅配備 8GB RAM 情況下，這組成績比前代（以 S23+ 為例）8G2 平台，在 7 月 30 日上傳 GeekBench 網頁的 2,072 單核、5,507 多核成續有明顯增長，分別有約 10%（單核）跟 20%（多核）提升。
資料來源：GeekBench
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